Hanya untuk referensi
Nomor Bagian | IPB108N15N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB108N15N3GATMA1 |
Pabrikan | IR (Infineon Technologies) |
Kategori | semikonduktor diskrit › transistor - fets, MOSFET - tunggal |
Keterangan | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK |
Lingkaran kehidupan | Aktif |
RoHS | Tidak ada Informasi RoHS |
Model EDA/CAD | IPB108N15N3GATMA1 Jejak dan Simbol PCB |
Gudang | AS, Eropa, Cina, Hong Kong SAR |
Perkiraan pengiriman | Sep 22 - Sep 26 2024(Pilih Pengiriman Cepat) |
Jaminan | Hingga 1 tahun [Garansi Terbatas]* |
Pembayaran | |
Pengiriman |
Nomor Bagian: | IPB108N15N3GATMA1 |
Merek: | IR (Infineon Technologies) |
Lingkaran kehidupan: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategori: | semikonduktor diskrit |
Subkategori: | transistor - fets, MOSFET - tunggal |
Pabrikan: | IR (Infineon Technologies) |
seri: | OptiMOS™ |
kemasan: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
status bagian: | Active |
tipe fet: | N-Channel |
teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
tiriskan ke tegangan sumber (vdss): | 150 V |
arus - pengurasan terus menerus (id) @ 25°c: | 83A (Tc) |
drive tegangan (max rds aktif, min rds aktif): | 8V, 10V |
rds aktif (maks) @ id, vgs: | 10.8mOhm @ 83A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 160µA |
biaya gerbang (qg) (maks) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
vgs (maks): | ±20V |
kapasitansi input (ciss) (maks) @ vds: | 3230 pF @ 75 V |
fitur fet: | - |
disipasi daya (maks): | 214W (Tc) |
Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipe pemasangan: | Surface Mount |
paket perangkat pemasok: | D²PAK (TO-263AB) |
paket / kasus: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STD16N65M5 | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | 981 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
FDMA530PZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 2673 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
IPT007N06NATMA1 | MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF | 818 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
PSMN030-150B,118 | MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK | 10445 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
FCPF260N60E | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 880 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA | 6567 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
RFD7N10LE | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6881 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
PMZ600UNELYL | MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 | 974 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
TK6A53D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS | 877 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
RRF015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 | 908 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
BUK652R0-30C,127 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4058 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
NTMFS5C604NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 4254 Lebih lanjut tentang Pesanan |
|
FQPF33N10 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 865 Lebih lanjut tentang Pesanan |
Persediaan | 15343 - Lebih lanjut tentang Pesanan |
---|---|
Batas Kutipan | Tidak ada batas |
Waktu Pimpin | Untuk di konfirmasi |
Minimum | 1 |
Tips Hangat: Silakan isi formulir di bawah ini. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $4.50000 | $4.5 |
1000 | $2.47659 | $2476.59 |
2000 | $2.35276 | $4705.52 |
Lixinc akan menawarkan harga paling kompetitif untuk Anda, silakan lihat kutipannya.
Jangan ragu untuk menghubungi kami untuk detailnya.